Intel Corporation завърши етапа на разработване на своя производствен процес от следващо поколение, който допълнително намалява размера на изграждащите чиповете елементи до 32 нанометра (1 нанометър е една милиардна част от метъра). Компанията се подготвя за производство по тази технология от бъдещо поколение, с употребата на още по-енергийно ефективни, по-гъсто поставени и по-високопроизводителни транзистори, през четвъртото тримесечие на 2009 година.
Intel ще представи множество технически подробности за 32-нанометровата производствена технология заедно с няколко други теми по време на презентации на International Electron Devices meeting (IEDM) следващата седмица в Сан Франциско.

Със завършването на етапа на разработване на 32-нанометровата производствена технология на компанията и с готовността за производство в този времеви порядък, означава, че Intel продължава да работи с темповете на своя амбициозен продуктов и производствен ритъм, наричан още „тик-так” ("tick-tock") стратегията на компанията.
Този план се фокусира върху това приблизително на всеки 12 месеца, да се представя изцяло нова процесорна микроархитектура, а след това да се представя и върхов производствен процес, усилие което остава ненадминато в индустрията. Производството на 32нм чипове през следващата година ще отбележи четвъртата поредна година, в която Intel постига тази своя цел.

Докладът и презентацията на Intel за 32 nm процес описват логическа технология, която включва второто поколение на технологията high-k + metal gate, 193nm имерсионна литография за critical patterning layers и усъвършенствани техники за транзистори. Тези характеристики усъвършенстват производителността и енергийната ефективност на процесорите на Intel.

Производственият процес на Intel има най-висока производителност на транзисторите и най-голяма гъстота на транзисторите, в сравнение с всяка оповестена 32-нанометрова технология в индустрията.

„Нашите изключителни постижения при производствения процес и продуктите, които произлизат от него, ни помагат да разширим лидерската си позиция при компютърната производителност и продължителността на живота на батериите при Intel-базираните лаптопи, сървъри и настолни компютри,” заяви Марк Бор, Директор Process architecture and integration. „Както демонстрирахме тази година, производствената ни стратегия и нейното изпълнение, също ни дават възможност да създаваме съвършено нови продуктови линии за мобилни интернет устройства (MID), оборудване за потребителска електроника, вградени компютри и нетбуци.”

Други от докладите на Intel на IEDM ще представят: нисковолтова system on chip версия на 45-нанометровия производствен процес на Intel; транзистори, базирани на compound полупроводници; инженеринг на полупроводниковия кристал за подобряване на производителността на 45-нанометровите транзистори; интегриране на химическа механична полировка за 45нм node; и интегриране на силицеви фотонни модулатори. Intel също ще участва в кратък курс по 22-нанометрова CMOS технология.